本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：提供第一衬底，从第一衬底的第一表面在第一衬底内形成具有第一深度的浅沟槽隔离，其中第一深度为浅沟槽隔离的底部至第一表面的距离；形成覆盖第一衬底的第一表面的介电盖帽层；提供承载衬底，将第一衬底的形成有介电盖帽层的一侧与承载衬底相接合；从与第一表面相对的第二表面对第一衬底进行减薄处理至第二深度；以减薄处理后的第一衬底作为器件层进行半导体器件的制作。本发明实施例的方法，由于包括在第一衬底上接合承载衬底并对第一衬底进行减薄处理的步骤，第一衬底可以采用普通的体硅衬底作为基本的器件层衬底，可以降低成本。