发明授权
- 专利标题： 刻蚀形成硅通孔的方法
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申请号： CN201510318035.4申请日： 2015-06-11
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公开(公告)号： CN106298638B公开(公告)日： 2019-04-09
- 发明人: 李俊良 , 倪图强
- 申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构： 上海信好专利代理事务所
- 代理商 朱成之
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
本发明提供一种刻蚀形成硅通孔的方法，该方法可降低加工过程中基片被转移的次数，从而提高效率、节约成本。该方法通常可包括以下步骤：将硅基片以背面朝上的方式放置于等离子体刻蚀装置的反应腔中，所述硅基片背面的硅材料层的上方形成有光刻胶图案；以所述光刻胶图案为掩模，刻蚀下方的硅材料层，以初步形成硅通孔；去除残余的光刻胶图案；全局刻蚀所述硅材料层；将硅基片移出所述反应腔。
公开/授权文献
- CN106298638A 刻蚀形成硅通孔的方法 公开/授权日：2017-01-04
IPC分类:
