- 专利标题: 一种多孔单层1T MoS2纳米片的制备方法及其应用
- 专利标题(英): Preparing method of porous monocrystal IT MoS2 nanosheet and application thereof
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申请号: CN201610650085.7申请日: 2016-08-09
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公开(公告)号: CN106311282A公开(公告)日: 2017-01-11
- 发明人: 李玥 , 王龙禄 , 叶英杰 , 高风仙 , 张倩 , 刘建
- 申请人: 河南工程学院
- 申请人地址: 河南省郑州市新郑龙湖祥和路1号
- 专利权人: 河南工程学院
- 当前专利权人: 河南工程学院
- 当前专利权人地址: 河南省郑州市新郑龙湖祥和路1号
- 代理机构: 郑州优盾知识产权代理有限公司
- 代理商 张绍琳; 张志军
- 主分类号: B01J27/051
- IPC分类号: B01J27/051 ; C01G39/06 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种多孔单层1T MoS 2纳米片的制备方法,步骤如下(:1)采用水热法制备2H晶型的MoS2纳米片;(2)采用超声辅助锂离子插层法对多层2H晶型的MoS2纳米片进行剥离,得到多孔单层1T MoS2纳米片。本发明的1T MoS 2纳米片可直接用于电催化制氢,相对于其它结构MoS2,其电催化制氢性能得到快速提高,多孔的结构为该催化提供了更多的边缘,因此可以暴露更多的活性位点,这将有益于电催化制氢;单层的结构使得该催化剂拥有更大的比表面积,可以提供更多的反应活性位点。相对于多层的结构,单层结构降低了层与层之间的电子传输阻力,有利于电子的传输和转移,进而加快电催化制氢速率。
公开/授权文献
- CN106311282B 一种多孔单层1T MoS2纳米片的制备方法及其应用 公开/授权日:2019-01-15