- 专利标题: 基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法
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申请号: CN201610911425.7申请日: 2016-10-19
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公开(公告)号: CN106353622B公开(公告)日: 2019-02-19
- 发明人: 李兴冀 , 马国亮 , 杨剑群 , 刘超铭
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 岳昕
- 主分类号: G01R31/00
- IPC分类号: G01R31/00
摘要:
基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法,涉及电子技术领域。本发明是为了解决电子元器件地面辐照过程中,由于环境气氛和温度的影响,导致电性能原位测试不准确和评价效率低的问题。本发明采用氩气环境,这样可以有效地排除以往辐照试验过程中空气中氧气的影响和真空辐照中负压的影响,提高了电子元器件原位测试的准确性。在辐照过程中进行变温辐照,温度区间选取双极晶体管工作的环境温度条件,这样的原位测试方法低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单,易于操作。本发明适用于双极型电子元器件空间辐照效应研究和试验。
公开/授权文献
- CN106353622A 基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法 公开/授权日:2017-01-25