Invention Grant
- Patent Title: 形成HAMR头的方法、在HAMR结构中涂覆近场换能器的方法及磁头
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Application No.: CN201610550190.3Application Date: 2016-07-13
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Publication No.: CN106356078BPublication Date: 2018-11-16
- Inventor: E.托雷斯 , C.黄 , R.西蒙斯
- Applicant: HGST荷兰公司
- Applicant Address: 荷兰阿姆斯特丹
- Assignee: HGST荷兰公司
- Current Assignee: 西部数据技术公司
- Current Assignee Address: 荷兰阿姆斯特丹
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 邱军
- Priority: 14/798,428 2015.07.13 US
- Main IPC: G11B5/31
- IPC: G11B5/31 ; G11B5/60
Abstract:
本文公开的实施例总体上涉及一种形成HAMR头的方法。所述方法包含使用按需滴喷工具在滑块表面的一部分上沉积按需滴喷掩模。所述滑块的表面包含NFT的至少一部分。第一保护层沉积在滑块表面的剩余的部分之上,以及按需滴喷掩模之上。将按需滴喷掩模以及设置在按需滴喷掩模上的第一保护层的一部分移除,暴露NFT的至少一部分。第二保护层沉积在第一保护层和NFT的至少暴露的部分上。通过使用按需滴喷工具来沉积按需滴喷掩模,降低按需滴喷掩模和NFT的该部分之间的对齐的严格度,并且可以使用擦除工具轻易地移除按需滴喷掩模。
Public/Granted literature
- CN106356078A 在HAMR结构中使用高导热材料涂覆NFT区间的方法 Public/Granted day:2017-01-25
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IPC分类: