- 专利标题: 一种基于硅通孔互连的系统级封装的电磁耦合抑制方法
- 专利标题(英): TSV (through silicon via)-interconnect-based system in package electromagnetic coupling suppression method
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申请号: CN201610888873.X申请日: 2016-10-11
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公开(公告)号: CN106356350A公开(公告)日: 2017-01-25
- 发明人: 张木水 , 陈永炜
- 申请人: 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 , 中山大学
- 申请人地址: 广东省佛山市顺德区大良街道办广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院
- 专利权人: 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院,中山大学
- 当前专利权人: 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院,中山大学
- 当前专利权人地址: 广东省佛山市顺德区大良街道办广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院
- 代理机构: 广州粤高专利商标代理有限公司
- 代理商 林丽明
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L23/552
摘要:
本发明提供一种基于硅通孔(TSV,Through Silicon Via)互连的系统级封装的电磁耦合抑制方法,通过设置栅格地结构和P+接触阵列形成电磁屏蔽平面,虚拟电磁屏蔽平面之间采用接地TSV阵列连接,最终形成一个三维的全局电磁屏蔽结构,同一层衬底的横向电磁耦合通过分散电磁屏蔽单元和接地TSV阵列来抑制,垂直方向的电磁耦合通过虚拟电磁屏蔽平面来屏蔽,从而同时实现水平方向和垂直方向的衬底电磁耦合隔离。本发明方法为干扰噪声源设计低阻抗的本地回路,引导噪声电流在局部区域形成回路,以达到防止噪声耦合到其它地方的目的,解决了当前电磁屏蔽技术对三维传递噪声抑制能力差,屏蔽带宽和屏蔽性能不足的问题。
公开/授权文献
- CN106356350B 一种基于硅通孔互连的系统级封装的电磁耦合抑制方法 公开/授权日:2019-04-05
IPC分类: