一种基于硅通孔互连的系统级封装的电磁耦合抑制方法
摘要:
本发明提供一种基于硅通孔(TSV,Through Silicon Via)互连的系统级封装的电磁耦合抑制方法,通过设置栅格地结构和P+接触阵列形成电磁屏蔽平面,虚拟电磁屏蔽平面之间采用接地TSV阵列连接,最终形成一个三维的全局电磁屏蔽结构,同一层衬底的横向电磁耦合通过分散电磁屏蔽单元和接地TSV阵列来抑制,垂直方向的电磁耦合通过虚拟电磁屏蔽平面来屏蔽,从而同时实现水平方向和垂直方向的衬底电磁耦合隔离。本发明方法为干扰噪声源设计低阻抗的本地回路,引导噪声电流在局部区域形成回路,以达到防止噪声耦合到其它地方的目的,解决了当前电磁屏蔽技术对三维传递噪声抑制能力差,屏蔽带宽和屏蔽性能不足的问题。
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