发明授权
CN106384566B 像素结构、像素电极及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 像素结构、像素电极及其制备方法
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申请号： CN201610829346.1申请日： 2016-09-18
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公开(公告)号： CN106384566B公开(公告)日： 2019-05-17
- 发明人: 杨久霞 , 白峰 , 刘建涛
- 申请人： 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人： 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人： 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构： 北京三高永信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 滕一斌
- 主分类号： G09F9/30
- IPC分类号： G09F9/30 ; H01B1/12 ; G03F7/00
摘要：
本发明公开了一种像素结构、像素电极及其制备方法。该像素结构，包括：像素电极，所述像素电极包括磷烯电极。本发明提供的像素结构不但机械强度高柔韧性好而且方块电阻小。该像素结构可应用于柔性显示。
公开/授权文献
- CN106384566A 像素结构、像素电极及其制备方法 公开/授权日：2017-02-08
