星载射线能纳米电池
摘要:
本发明提供了一种星载射线能纳米电池,包括:硅纳米线、碘化铯层、体硅发射极、耗尽区、体硅基极和背板;硅纳米线吸收紫外波段、可见波段和红外波段的光产生自由电子,通过硅纳米线汇聚光子能量,增大功率密度;碘化铯层吸收高能X射线和γ射线,将高能射线光子转化为可见光波段的光子;体硅发射极与基极汇聚过剩载流子,对直射光子与二次反射光子进行吸收;耗尽区维持内建电压,保证光生载流子分离;背板反射光子,增加体硅吸收光子概率。本发明利用碘化铯闪烁晶体材料作为太阳能电池表面涂层结构,将当前太阳能电池的响应频带拓宽至射线区(X射线和γ射线),起到一定的辐射损伤防护作用,可满足航天器在高辐射、低光照的空间环境下的供电需求。
公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/054 ..与光伏电池直接联合或结合的光学元件,例如,反光装置或集光装置
H01L31/055 ...在光吸收处,由与光伏电池直接联合或结合的光学元件,例如由发光材料、荧光集光体或上变频装置再发射不同波长的光
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