利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN106415725B 用于在分裂栅闪存存储器单元编程过程中减轻干扰的系统和方法 有权

用于在分裂栅闪存存储器单元编程过程中减轻干扰的系统和方法
摘要：
本发明公开了一种在分裂栅闪存存储器单元编程过程中用于减轻干扰的改进的控制栅解码设计。在一个实施方案中，控制栅线解码器耦接至与第一扇区中的闪存存储器单元行相关联的第一控制栅线，并且耦接至与第二扇区中的闪存存储器单元行相关联的第二控制栅线。
摘要（英）：

An improved control gate decoding design may reduce disturbances during the programming of flash memory cells. In one embodiment, a control gate line decoder is coupled to a first control gate line associated with a row of flash memory cells in a first sector and to a second control gate line associated with a row of flash memory cells in a second sector.

公开/授权文献
0/0