发明授权
- 专利标题: 一种基于微纳结构的光刻方法
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申请号: CN201610932799.7申请日: 2016-10-31
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公开(公告)号: CN106444296B公开(公告)日: 2019-02-12
- 发明人: 曾笔鉴 , 熊永华 , 万枫 , 王任凡
- 申请人: 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
- 专利权人: 武汉光迅科技股份有限公司,武汉电信器件有限公司
- 当前专利权人: 武汉光迅科技股份有限公司,武汉电信器件有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号
- 代理机构: 深圳市爱迪森知识产权代理事务所
- 代理商 何婷
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20 ; G03F7/00
摘要:
本发明涉及激光器光刻技术领域,提供了一种基于微纳结构的光刻方法。所述方法包括根据光刻的图案和微纳材料,设定激光器;动态调整激光器的光功率和/或脉冲时间;选择第一腐蚀剂,刻蚀微纳材料层中晶化区域;选择第二腐蚀剂,刻蚀沉积态的微纳材料和基座,在基座上形成相应三维图形。本发明实施例利用基于微纳材料(也称为相变材料)的热光刻技术实现了一种快速制备三维微纳结构的方法,能够实现连续作业,性价比高,操作简单,对环境要求宽松,并且可以在系统上增加微透镜阵列以增加产出率,实用性强。
公开/授权文献
- CN106444296A 一种基于微纳结构的光刻方法 公开/授权日:2017-02-22