一种半导体存储模块及其制作方法
摘要:
本发明实施例公开了一种半导体存储模块及其制作方法,所述半导体存储模块包括自下而上依次堆叠的控制芯片组和至少两个存储芯片组,相邻的两个存储芯片组的第一重布线层通过层间导电柱电连接,控制芯片组的第二重布线层与相邻的存储芯片组通过区域间导电柱电连接,存储芯片组包括依次堆叠的至少两个存储芯片,和位于至少两个存储芯片下方的第一复合绝缘层,至少两个存储芯片的第一层内导电柱错开预设角度,以与第一重布线层电连接,控制芯片组包括控制芯片,和位于控制芯片下方的第二复合绝缘层,控制芯片的第二层内导电柱与第二重布线层电连接。综上,可以提高存储模块的存储能力和控制能力,减小存储模块尺寸,以及实现存储模块的晶圆级制造。
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