发明授权
- 专利标题: 一种半导体存储模块及其制作方法
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申请号: CN201610981072.8申请日: 2016-11-08
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公开(公告)号: CN106449590B公开(公告)日: 2019-08-09
- 发明人: 陆原 , 陈峰
- 申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 张海英; 徐鹏飞
- 主分类号: H01L23/52
- IPC分类号: H01L23/52 ; H01L23/522 ; H01L23/528 ; H01L23/488 ; H01L21/768
摘要:
本发明实施例公开了一种半导体存储模块及其制作方法,所述半导体存储模块包括自下而上依次堆叠的控制芯片组和至少两个存储芯片组,相邻的两个存储芯片组的第一重布线层通过层间导电柱电连接,控制芯片组的第二重布线层与相邻的存储芯片组通过区域间导电柱电连接,存储芯片组包括依次堆叠的至少两个存储芯片,和位于至少两个存储芯片下方的第一复合绝缘层,至少两个存储芯片的第一层内导电柱错开预设角度,以与第一重布线层电连接,控制芯片组包括控制芯片,和位于控制芯片下方的第二复合绝缘层,控制芯片的第二层内导电柱与第二重布线层电连接。综上,可以提高存储模块的存储能力和控制能力,减小存储模块尺寸,以及实现存储模块的晶圆级制造。
公开/授权文献
- CN106449590A 一种半导体存储模块及其制作方法 公开/授权日:2017-02-22
IPC分类: