Invention Grant
- Patent Title: 可改善电流崩塌效应的GaN HEMT
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Application No.: CN201610908528.8Application Date: 2016-10-19
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Publication No.: CN106449746BPublication Date: 2019-03-12
- Inventor: 王荣华
- Applicant: 大连芯冠科技有限公司
- Applicant Address: 辽宁省大连市高新技术产业园区火炬路56A5层512A室
- Assignee: 大连芯冠科技有限公司
- Current Assignee: 润新微电子(大连)有限公司
- Current Assignee Address: 辽宁省大连市高新技术产业园区火炬路56A5层512A室
- Agency: 大连非凡专利事务所
- Agent 闪红霞
- Main IPC: H01L29/778
- IPC: H01L29/778 ; H01L29/20 ; H01L29/06
Abstract:
本发明公开一种可改善电流崩塌效应的GaN HEMT，有沟道层（3）及势垒层（4），在有源区内设有源电极（5）、漏电极（6）及栅电极（7），所述漏电极（6）的宽度为W，所述源电极（5）与栅电极（7）之间的间距为Ls，所述栅电极（7）与漏电极（6）之间的间距为Ld，其特征在于：在栅电极（7）与漏电极（6）之间的势垒层（4）上设有可阻挡部分栅电极电子通过施主能级向漏电极迁移的阻挡区（9），使800V下归一化后的动态导通电阻趋于1。
Public/Granted literature
- CN106449746A 可改善电流崩塌效应的GaN HEMT Public/Granted day:2017-02-22
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IPC分类:
