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发明授权
CN106460229B 掺杂的稀土氮化物材料和包含其的器件 有权

掺杂的稀土氮化物材料和包含其的器件
摘要：
本发明公开了镁掺杂的稀土氮化物材料，其中的一些为半绝缘的或绝缘的。本发明还公开了制备所述材料的方法。所述镁掺杂的稀土氮化物材料可以用于例如电子自旋器件、电子器件和光电器件的制造。
摘要（英）：

Disclosed herein are magnesium-doped rare earth nitride materials, some of which are semi-insulating or insulating. Also disclosed are methods for preparing the materials. The magnesium-doped rare earth nitride materials may be useful in the fabrication of, for example, spintronics, electronic and optoelectronic devices.

公开/授权文献
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