- 专利标题: 一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法
-
申请号: CN201610956482.7申请日: 2016-10-27
-
公开(公告)号: CN106504829B公开(公告)日: 2018-01-02
- 发明人: 彭寿 , 操芳芳 , 金良茂 , 王芸 , 汤永康 , 王巍巍
- 申请人: 蚌埠玻璃工业设计研究院
- 申请人地址: 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号
- 专利权人: 蚌埠玻璃工业设计研究院
- 当前专利权人: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号
- 代理机构: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所
- 代理商 陈俊
- 主分类号: H01B13/00
- IPC分类号: H01B13/00 ; B22F1/00 ; B22F9/24
摘要:
本发明公开一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法,包括以下步骤:a)将硝酸银溶于多元醇中,经过超声处理混合均匀,得到物质量浓度为0.1mol•L‑1~0.5mol•L‑1的硝酸银醇溶液;b)将表面活性剂溶于多元醇中,得到物质的量浓度为0.05mol•L‑1~0.5mol•L‑1的表面活性剂醇溶液;c)将硝酸银醇溶液与表面活性剂醇溶液按体积比4:5的比例混合,加入金属离子控制剂,再升温、静置,得到银纳米线母液;d)对步骤c制得的银纳米线母液洗涤、离心分离,去除杂质后用分散剂分散,得到质量体积比为0.2mg·mL‑1~20mol·L‑1的银纳米线分散液,银纳米线长度为80um~200um,直径为40nm~100nm;e)将洗净的衬底置入旋涂机中,将步骤d制得的银纳米线分散液滴在衬底表面,涂覆完成后,自然晾干即得到银纳米线薄膜。
公开/授权文献
- CN106504829A 一种高透过率低电阻银纳米线薄膜的制备方法 公开/授权日:2017-03-15