发明公开
- 专利标题: 检测晶圆中铁含量异常的装置及其方法
- 专利标题(英): Device and method for detecting abnormal iron content in wafer
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申请号: CN201510564059.8申请日: 2015-09-07
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公开(公告)号: CN106505004A公开(公告)日: 2017-03-15
- 发明人: 李广宁 , 陈林 , 徐依协
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 屈蘅; 李时云
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66 ; H01L21/67
摘要:
本发明提供一种检测晶圆中铁(Fe)含量异常的装置及其方法,包括晶圆承载台、注入腔体、光照腔体、热处理腔体和少子寿命测量腔体,晶圆可以在各个腔体之间进行传递。本发明中,在基准晶圆和待测晶圆表面形成第一掺杂层和第二掺杂层,掺杂离子与Fe离子在光照下形成第一复合体和第二复合体,使晶圆的少子寿命降低,对晶圆进行热处理之后,第一复合体和第二复合体分解,晶圆的少子寿命又恢复为初始值。因此,通过测量不同时刻晶圆的少子寿命,将待测晶圆与基准晶圆的少子寿命下降的数值进行对比,从而判断待测晶圆中铁含量是否异常。此外,铁含量越高,形成的第一复合体和第二复合体越多,晶圆的少子寿命越小,半定量得出不同晶圆之间铁含量的差异。
公开/授权文献
- CN106505004B 检测晶圆中铁含量异常的装置及其方法 公开/授权日:2019-05-03