发明公开
- 专利标题: 用于静摩擦补偿的磁性纳米机械器件
- 专利标题(英): Magnetic nanomechanical devices for stiction compensation
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申请号: CN201480079265.3申请日: 2014-06-27
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公开(公告)号: CN106573770A公开(公告)日: 2017-04-19
- 发明人: J·A·穆诺茨 , D·E·尼科诺夫 , K·J·库恩 , P·泰奥法尼斯 , C·帕瓦申 , K·林 , S·金
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 陈松涛; 王英
- 国际申请: PCT/US2014/044594 2014.06.27
- 国际公布: WO2015/199721 EN 2015.12.30
- 进入国家日期: 2016-11-25
- 主分类号: B81B7/02
- IPC分类号: B81B7/02
摘要:
描述了用于操作电压的改进的范围和悬臂的尺寸的改进的控制的具有纳米磁铁的纳米机电(NEMS)器件。例如,在实施例中,纳米机电(NEMS)器件包括衬底层、设置在衬底层上方的第一磁性层、设置在第一磁性层上方的第一电介质层、设置在第一电介质层上方的第二电介质层、以及设置在第二电介质层上方的悬臂。当将电压施加到悬臂时,悬臂从第一位置朝着衬底层弯曲到第二位置。
公开/授权文献
- CN106573770B 用于静摩擦补偿的磁性纳米机械器件 公开/授权日:2019-08-06