- 专利标题: 层叠体的品质评价方法、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法
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申请号: CN201580035431.4申请日: 2015-07-06
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公开(公告)号: CN106575629B公开(公告)日: 2019-05-14
- 发明人: 川上信之 , 林和志 , 钉宫敏洋 , 越智元隆
- 申请人: 株式会社神户制钢所
- 申请人地址: 日本兵库县
- 专利权人: 株式会社神户制钢所
- 当前专利权人: 株式会社神户制钢所
- 当前专利权人地址: 日本兵库县
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 张玉玲
- 优先权: 2014-146337 2014.07.16 JP
- 国际申请: PCT/JP2015/069387 2015.07.06
- 国际公布: WO2016/009868 JA 2016.01.21
- 进入国家日期: 2016-12-28
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66 ; H01L21/336 ; H01L29/786
摘要:
本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有:第1步骤,在基板上形成氧化物半导体薄膜后,利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态,由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良;和第2步骤,在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后,利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态,由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。
公开/授权文献
- CN106575629A 氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法 公开/授权日:2017-04-19
IPC分类: