发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
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申请号： CN201580044665.5申请日： 2015-09-02
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公开(公告)号： CN106575688B公开(公告)日： 2019-01-04
- 发明人: 吕焕国
- 申请人： LG电子株式会社
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： LG电子株式会社
- 当前专利权人： LG电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉; 刘久亮
- 优先权： 10-2014-0135207 2014.10.07 KR
- 国际申请： PCT/KR2015/009228 2015.09.02
- 国际公布： WO2016/056750 EN 2016.04.14
- 进入国家日期： 2017-02-20
- 主分类号： H01L33/20
- IPC分类号： H01L33/20 ; H01L33/38 ; H01L33/00 ; H01L33/42
摘要：
一种半导体器件包括：依次层叠的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；被设置为隔着所述第一导电型半导体层彼此对应的第一导电型上电极部分和第一导电型下电极部分；被设置为隔着所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层彼此对应的第二导电型上电极部分和第二导电型下电极部分；以及将所述第二导电型上电极部分和所述第二导电型下电极部分电连接的第二导电型电极连接部分。
公开/授权文献
- CN106575688A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2017-04-19
IPC分类:
