Invention Grant
- Patent Title: 一种高精度大量程非接触式测量磁致应变的装置及方法
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Application No.: CN201610895945.3Application Date: 2016-10-14
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Publication No.: CN106646293BPublication Date: 2019-02-26
- Inventor: 杨波 , 李宗宾 , 赵骧 , 左良
- Applicant: 东北大学
- Applicant Address: 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
- Assignee: 东北大学
- Current Assignee: 东北大学
- Current Assignee Address: 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
- Agency: 沈阳东大知识产权代理有限公司
- Agent 梁焱
- Main IPC: G01R33/18
- IPC: G01R33/18

Abstract:
一种高精度大量程非接触式测量磁致应变的装置及方法,所述装置包括:电磁铁底座、电磁铁固定支架、第一电磁铁、第二电磁铁、第一支撑杆、第二支撑杆、第一旋钮、第二旋钮、测量固定台、样品台、第一三轴位移台、第二三轴位移台、第一激光位移传感器、第二激光位移传感器、第一连接板、第二连接板和数据处理装置,在测量样品的应变时,将样品固定在样品台上,通过第一激光位移传感器和第二激光位移传感器射出的激光在样品表面产生的反射回路的变化来计算样品发生的应变量,该过程实现了对样品的非接触式测量,无需在样品的表面贴应变片,因此样品不会受到应变片最大变形量的限制,也避免了应变片阻碍样品的变形的问题,提高了测量的精度。
Public/Granted literature
- CN106646293A 一种高精度大量程非接触式测量磁致应变的装置及方法 Public/Granted day:2017-05-10
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