本发明公开了一种硅片的清洗方法，包括步骤：将硅片放置清水中浸泡20分钟并使用清水喷淋30秒～60秒，去除硅片上砂浆；超声处理，使用多重频率超声波去除硅片表面的高分子及金属离子；将硅片先后放置于三氯乙烯溶液及异丙醇溶液中旋转清洗3分钟；使用温度为80度的SC1清洗液清洗硅片10分钟，去除硅片的金属杂质；使用温度为60度的去离子水清洗硅片5分钟；使用温度为80度的SC2清洗液清洗硅片，去除硅片的金属杂质；使用温度为60度的去离子水清洗硅片5分钟；将硅片放置于浓度为1％的氢氟酸溶液中，去除硅片的原生氧化层；使用温度为60度的去离子水清洗硅片1分钟；对硅片进行干燥处理，完成清洗硅片的全过程。