发明授权
- 专利标题: 一种半导体存储器及其制作方法
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申请号: CN201610980670.3申请日: 2016-11-08
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公开(公告)号: CN106653628B公开(公告)日: 2019-07-16
- 发明人: 陆原 , 陈峰
- 申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
- 代理机构: 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 张海英; 徐鹏飞
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L23/31 ; H01L25/065
摘要:
本发明实施例公开了一种半导体存储器及其制作方法,所述半导体存储器包括自下而上依次堆叠的至少两个存储芯片组,上下相邻的两个所述存储芯片组的重布线层通过层间导电柱电连接,且位于最下方的存储芯片组的重布线层与对外连接凸块电连接;所述存储芯片组包括依次堆叠的至少两个存储芯片,以及位于所述至少两个存储芯片下方的复合绝缘层,所述至少两个存储芯片包封为一体结构,所述重布线层设置在所述复合绝缘层中,所述至少两个存储芯片的层内导电柱错开预设角度,以分别与所述重布线层电连接。本发明实现了半导体存储器的大容量和高集成度,并且有效提高了存储器的堆叠效率,降低了堆叠难度。
公开/授权文献
- CN106653628A 一种半导体存储器及其制作方法 公开/授权日:2017-05-10
IPC分类: