一种半导体存储器及其制作方法
摘要:
本发明实施例公开了一种半导体存储器及其制作方法,所述半导体存储器包括自下而上依次堆叠的至少两个存储芯片组,上下相邻的两个所述存储芯片组的重布线层通过层间导电柱电连接,且位于最下方的存储芯片组的重布线层与对外连接凸块电连接;所述存储芯片组包括依次堆叠的至少两个存储芯片,以及位于所述至少两个存储芯片下方的复合绝缘层,所述至少两个存储芯片包封为一体结构,所述重布线层设置在所述复合绝缘层中,所述至少两个存储芯片的层内导电柱错开预设角度,以分别与所述重布线层电连接。本发明实现了半导体存储器的大容量和高集成度,并且有效提高了存储器的堆叠效率,降低了堆叠难度。
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