发明授权
- 专利标题: 一种多步骤干法刻蚀机台颗粒监测的方法
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申请号: CN201611027701.X申请日: 2016-11-01
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公开(公告)号: CN106653654B公开(公告)日: 2019-07-12
- 发明人: 江旻 , 曾林华 , 任昱 , 吕煜坤 , 朱骏 , 张旭升
- 申请人: 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 专利权人: 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人: 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 代理机构: 上海天辰知识产权代理事务所
- 代理商 吴世华; 陈慧弘
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67
摘要:
本发明公开了一种多步骤干法刻蚀机台颗粒监测的方法,通过在单步骤的颗粒监测方法的基础上增加缩短时间的全步骤的颗粒监测方法,不仅有效的监测了多步骤干法刻蚀机台产生的所有颗粒,并且增加了颗粒有无特殊分布的检查和对大颗粒的规格控制,增强了颗粒监测的灵敏度,减少了产品事故的概率。
公开/授权文献
- CN106653654A 一种多步骤干法刻蚀机台颗粒监测的方法 公开/授权日:2017-05-10
IPC分类: