Invention Grant
- Patent Title: C-2位和C-7位修饰的1-去氧巴卡亭VI紫杉烷类化合物及其制备方法
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Application No.: CN201611103984.1Application Date: 2016-12-05
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Publication No.: CN106674243BPublication Date: 2019-06-04
- Inventor: 林海霞 , 邱卫清 , 袁天海 , 崔永梅 , 唐平
- Applicant: 上海大学
- Applicant Address: 上海市宝山区上大路99号
- Assignee: 上海大学
- Current Assignee: 上海大学
- Current Assignee Address: 上海市宝山区上大路99号
- Agency: 上海上大专利事务所
- Agent 顾勇华
- Main IPC: C07D493/08
- IPC: C07D493/08 ; A61P29/00
Abstract:
本发明涉及一种C‑2位和C‑7位修饰的1‑去氧巴卡亭VI紫杉烷类化合物及其制备方法。该化合物的结构是:其中R为苯甲酰基取代基,五元杂环取代基。本发明的1‑去羟基巴卡亭VI紫杉烷类似物在C‑2位将苯氧酰基改造为乙酰氧基并且在C‑7位引入各种取代基,保留紫杉烷类的环骨架和必要的官能团,丰富了该类化合物,通过初筛实验,稳定性实验,浓度梯度实验等相关数据表明部分化合物在抗炎方面比紫杉醇更好,同时也为这类化合物的活性构效关系的研究提供了宝贵的借鉴。
Public/Granted literature
- CN106674243A C‑2位和C‑7位修饰的1‑去氧巴卡亭VI紫杉烷类化合物及其制备方法 Public/Granted day:2017-05-17
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