- 专利标题: 一种低温烧结低介C0G微波介质材料及其制备方法
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申请号: CN201710019409.1申请日: 2017-01-11
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公开(公告)号: CN106699150B公开(公告)日: 2019-05-07
- 发明人: 宋蓓蓓 , 程华容 , 杨魁勇 , 齐世顺 , 杨喻钦
- 申请人: 北京元六鸿远电子科技股份有限公司
- 申请人地址: 北京市丰台区海鹰路1号院5号楼3层3-2(园区)
- 专利权人: 北京元六鸿远电子科技股份有限公司
- 当前专利权人: 北京元六鸿远电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区海鹰路1号院5号楼3层3-2(园区)
- 代理机构: 北京汇信合知识产权代理有限公司
- 代理商 王秀丽
- 主分类号: C04B35/16
- IPC分类号: C04B35/16 ; C04B35/622 ; H01G4/12
摘要:
本发明涉及微波介质材料技术领域,具体涉及一种低温烧结低介电常数C0G特性微波介质材料,主料为BaSi2O5;副料为Zn2SiO4;改性添加剂为Al2O3、MnO、CeO2、CoO、Nb2O5、ZrO2的一种或多种;烧结助剂为B2O3、SiO2、ZnO、Li2CO3、MgO中的一种或多种。能够在较低温度(850~950℃)下烧结,陶瓷粉具备成分均一、粒度分布窄、分散性好、成型性工艺好,烧结后瓷体致密、无杂质和缺陷少,其相对介电常数在10±2系列变化、室温损耗角正切<4×10‑4、绝缘电阻>1×1012Ω、容量温度特性稳定、品质因数Q·f值高。
公开/授权文献
- CN106699150A 一种低温烧结低介C0G微波介质材料及其制备方法 公开/授权日:2017-05-24
IPC分类: