一种低温烧结低介C0G微波介质材料及其制备方法
摘要:
本发明涉及微波介质材料技术领域,具体涉及一种低温烧结低介电常数C0G特性微波介质材料,主料为BaSi2O5;副料为Zn2SiO4;改性添加剂为Al2O3、MnO、CeO2、CoO、Nb2O5、ZrO2的一种或多种;烧结助剂为B2O3、SiO2、ZnO、Li2CO3、MgO中的一种或多种。能够在较低温度(850~950℃)下烧结,陶瓷粉具备成分均一、粒度分布窄、分散性好、成型性工艺好,烧结后瓷体致密、无杂质和缺陷少,其相对介电常数在10±2系列变化、室温损耗角正切<4×10‑4、绝缘电阻>1×1012Ω、容量温度特性稳定、品质因数Q·f值高。
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