- 专利标题: 一种纳米线自增强多孔氮化硅陶瓷及其制备方法
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申请号: CN201710024219.9申请日: 2017-01-13
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公开(公告)号: CN106699227B公开(公告)日: 2019-05-24
- 发明人: 丁军 , 吴郑敏 , 邓承继 , 余超 , 祝洪喜 , 柴志南
- 申请人: 武汉科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 代理机构: 武汉科皓知识产权代理事务所
- 代理商 张火春
- 主分类号: C04B38/10
- IPC分类号: C04B38/10 ; C04B35/584 ; C04B35/622 ; C04B35/634 ; C04B35/626 ; C04B35/65 ; C04B35/636 ; C04B35/80
摘要:
本发明涉及一种纳米线自增强多孔氮化硅陶瓷及其制备方法。其技术方案是:以70~80wt%的硅粉、5~10wt%的催化剂和10~20wt%的氮源为原料,外加所述原料20~30wt%的去离子水,搅拌,得到陶瓷浆料;向所述陶瓷浆料加入所述原料10~20wt%的发泡剂制成的泡沫,持续搅拌30~60min,得到陶瓷泡沫浆料;将所述陶瓷泡沫浆料倒入模具中,于氮气环境中静置,干燥,脱模,得到陶瓷坯体;将所述陶瓷坯体在氮气气氛条件下,先升温至1100~1150℃,保温;再升温至1200~1600℃,保温;自然冷却,即得纳米线自增强多孔氮化硅陶瓷。本发明工艺简单、成本低廉、原料利用率高和过程易于控制,所制备的制品气孔大小均一、气孔分布均匀和机械强度高。
公开/授权文献
- CN106699227A 一种纳米线自增强多孔氮化硅陶瓷及其制备方法 公开/授权日:2017-05-24