Invention Grant
- Patent Title: 大功率半导体堆栈笑脸校正及线宽压窄装置及方法
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Application No.: CN201611122343.0Application Date: 2016-12-08
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Publication No.: CN106707503BPublication Date: 2017-12-12
- Inventor: 王红岩 , 申成 , 杨子宁 , 张煊喆 , 宁禹 , 许晓军
- Applicant: 中国人民解放军国防科学技术大学
- Applicant Address: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- Assignee: 中国人民解放军国防科学技术大学
- Current Assignee: 中国人民解放军国防科学技术大学
- Current Assignee Address: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- Agency: 长沙七源专利代理事务所
- Agent 吴婷
- Main IPC: G02B27/00
- IPC: G02B27/00 ; G02B27/09 ; G02B5/30 ; G02B27/30
Abstract:
本发明属于半导体激光领域,尤其涉及一种利用两块平行放置的反射式相位板消除大功率半导体堆栈笑脸效应及利用面光栅进行线宽压窄的装置及方法。所述装置包括由大功率半导体堆栈组成的激光源、快轴准直装置、笑脸校正反射式相位板、像差补偿反射式相位板、凹透镜、凸透镜、面光栅;为了解决大功率半导体堆栈笑脸效应对线宽压窄的影响问题,本发明提出了一种大功率半导体堆栈笑脸校正及线宽压窄装置及方法,对传统基于长焦快轴准直微透镜、复合外腔、透射式相位板等的笑脸校正方法进行了改进,降低了元件加工难度,提高了大功率半导体堆栈线宽压窄方法的功率扩展性。
Public/Granted literature
- CN106707503A 大功率半导体堆栈笑脸校正及线宽压窄装置及方法 Public/Granted day:2017-05-24
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