Invention Grant
- Patent Title: 一种利用光敏型聚酰亚胺图案化晶硅电池选择性背场制备方法
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Application No.: CN201611236819.3Application Date: 2016-12-28
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Publication No.: CN106711286BPublication Date: 2017-12-15
- Inventor: 曹明杰 , 童荣柏 , 周光大 , 林建华
- Applicant: 杭州福斯特应用材料股份有限公司
- Applicant Address: 浙江省杭州市临安市锦北街道福斯特街8号
- Assignee: 杭州福斯特应用材料股份有限公司
- Current Assignee: 杭州福斯特应用材料股份有限公司
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市临安市锦北街道福斯特街8号
- Agency: 杭州求是专利事务所有限公司
- Agent 邱启旺
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/0224
Abstract:
本发明公开了一种利用光敏型聚酰亚胺图案化晶硅电池选择性背场制备方法。该方法首先通过离子注入加后续退火形成具有明显浓度梯度的磷掺杂层，然后采用光敏型聚酰亚胺经曝光显影交联后形成图案化的保护层，并采用酸性刻蚀液刻蚀未保护区域的浓磷掺杂n++层，最后采用碱性溶液去除图案化的聚酰亚胺保护层。本发明步骤简单，背场掺杂浓度与梯度可控，重掺区域图案化精度较高。
Public/Granted literature
- CN106711286A 一种利用光敏型聚酰亚胺图案化晶硅电池选择性背场制备方法 Public/Granted day:2017-05-24
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