本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、第一空穴注入层、电子阻挡层、第二空穴注入层，所述第一空穴注入层包括交替层叠的P型AlInGaN层和P型InGaN层，所述电子阻挡层为AlGaN层，所述第二空穴注入层为间隔插入InN层的P型GaN层。本发明通过形成第一空穴注入层和第二空穴注入层时通入的In源分解后的富In气氛，降低P型掺杂剂中Mg掺杂的激活能，提高第一空穴注入层和第二空穴注入层中的空穴浓度，提高多量子阱层中空穴和电子的辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。