发明公开
CN106785910A 一种掩埋结构激光器及其制造方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 一种掩埋结构激光器及其制造方法
- 专利标题(英): Buried structure laser and manufacturing method thereof
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申请号: CN201610969583.8申请日: 2016-10-31
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公开(公告)号: CN106785910A公开(公告)日: 2017-05-31
- 发明人: 李密锋 , 汤宝 , 罗飚
- 申请人: 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号;
- 专利权人: 武汉光迅科技股份有限公司,武汉电信器件有限公司
- 当前专利权人: 武汉光迅科技股份有限公司,武汉电信器件有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号;
- 代理机构: 深圳市爱迪森知识产权代理事务所
- 代理商 何婷
- 主分类号: H01S5/20
- IPC分类号: H01S5/20 ; H01S5/227
摘要:
本发明涉及激光器技术领域,提供了一种掩埋结构激光器及其制造方法。其中,激光器包括衬底、台面结构、掩埋结构和电极接触层,台面结构位于衬底上;掩埋结构由至少一层第一材料层和至少一层第二材料层构成,第二材料层覆盖于第一材料层上,并且第二材料层上对应台面结构的台顶区域设置有凹槽结构;电极接触层位于第二材料层上。本发明实施例克服了现有技术中存在的掩膜层与高电阻层(即掩埋材料)接触区域会过度生长,形成尖锐边角造成漏电流,会对器件在较小的电压下击穿的问题,提高了激光器工作的可靠性。