- 专利标题: 一种Pb基/3D‑PbO2/MeOx复合阳极及其制备方法
- 专利标题(英): Pb-substrate/3D-PbO2/MeOx composite anode and preparation method thereof
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申请号: CN201710152312.8申请日: 2017-03-15
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公开(公告)号: CN106835193A公开(公告)日: 2017-06-13
- 发明人: 钟晓聪 , 王瑞祥 , 徐志峰 , 曹才放 , 贺山明 , 韩海军
- 申请人: 江西理工大学
- 申请人地址: 江西省赣州市红旗大道86号
- 专利权人: 江西理工大学
- 当前专利权人: 昆明理工恒达科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江西省赣州市红旗大道86号
- 主分类号: C25B11/04
- IPC分类号: C25B11/04 ; C25C7/02 ; C25D11/34
摘要:
本发明公开了一种Pb基/3D‑PbO2/MeOx复合阳极及其制备方法,所述电极由Pb基底、3D‑PbO2和金属氧化物膜层组成。其制备方法是:首先采用电化学阳极氧化方法在Pb基底表面构建3D‑PbO2结构,然后采用电化学沉积或化学沉积方法在3D‑PbO2结构内部沉积金属氧化物MeOx。3D‑PbO2结构可以增大Pb基底与金属氧化物膜层的接触面积,固定氧化物膜层,承受膜层内部由于电解液溶胀、物相转化产生的内压,抑制膜层开裂剥落等。因此,其与传统Pb基涂层复合阳极相比,具有更高的膜层稳定性和阳极服役寿命,且制备工艺简单,容易实现工业化。
公开/授权文献
- CN106835193B 一种Pb基/3D-PbO2/MeOx复合阳极及其制备方法 公开/授权日:2018-10-09