发明公开
- 专利标题: 一种IGBT死区时间的优化方法
- 专利标题(英): Optimization method of IGBT dead zone time
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申请号: CN201710188473.2申请日: 2017-03-27
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公开(公告)号: CN106849637A公开(公告)日: 2017-06-13
- 发明人: 向大为 , 宁晨
- 申请人: 同济大学
- 申请人地址: 上海市杨浦区四平路1239号
- 专利权人: 同济大学
- 当前专利权人: 同济大学
- 当前专利权人地址: 上海市杨浦区四平路1239号
- 代理机构: 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 宣慧兰
- 主分类号: H02M1/38
- IPC分类号: H02M1/38
摘要:
本发明涉及一种IGBT死区时间的优化方法,该方法包括如下步骤:(1)采用待优化的IGBT搭建变流器;(2)以当前设定的死区时间运行变流器,获取在该死区时间下变流器的关键性能参数;(3)以步长ΔTd减小死区时间并循环执行步骤(2)直至变流器的关键性能参数发生剧变;(4)对于每种性能参数绘制其随死区时间变化的性能参数‑时间曲线,根据性能参数‑时间曲线获取使得对应性能参数不超过设定阈值时的死区时间作为待选取死区时间;(5)从多个待选取死区时间中选取最大值并留取一定裕量作为IGBT的最优死区时间。与现有技术相比,本发明实施简便,能在确保变流器安全可靠运行前提下有效提高变流器系统的控制性能。
公开/授权文献
- CN106849637B 一种IGBT死区时间的优化方法 公开/授权日:2019-01-25