发明公开
CN106855680A 图案处理方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 图案处理方法
- 专利标题(英): Pattern treatment methods
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申请号: CN201611096581.9申请日: 2016-12-02
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公开(公告)号: CN106855680A公开(公告)日: 2017-06-16
- 发明人: J·K·朴 , 李明琦 , A·M·科沃克 , P·D·休斯塔德
- 申请人: 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州;
- 专利权人: 罗门哈斯电子材料有限责任公司,陶氏环球技术有限责任公司
- 当前专利权人: 罗门哈斯电子材料有限责任公司,陶氏环球技术有限责任公司
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州;
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈哲锋; 胡嘉倩
- 优先权: 62/265385 20151209 US
- 主分类号: G03F7/00
- IPC分类号: G03F7/00 ; G03F7/09 ; G03F7/004
摘要:
图案处理方法包含:(a)提供半导体衬底,所述半导体衬底在其表面上包含图案化特征;(b)将图案处理组合物涂覆到所述图案化特征上,其中所述图案处理组合物包含聚合物,所述聚合物包含用于与所述图案化特征的表面形成键的表面附着基团,及溶剂,并且其中所述图案处理组合物不含交联剂;(c)用第一冲洗剂自所述衬底去除残余图案处理组合物,留下在所述图案化特征的所述表面上方并且结合到所述图案化特征的所述表面的所述聚合物的涂层;及(d)用与所述第一冲洗剂不同的第二冲洗剂冲洗所述经聚合物涂布的图案化特征,其中所述聚合物在所述第一冲洗剂中的溶解性比在所述第二冲洗剂中大。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。