发明授权
- 专利标题: 一种纳米电极阵列及其制备方法
-
申请号: CN201510924577.6申请日: 2015-12-14
-
公开(公告)号: CN106865491B公开(公告)日: 2019-07-19
- 发明人: 李璐 , 陈硕 , 何秀丽 , 高晓光 , 贾建 , 尉志勇 , 郑天祥
- 申请人: 国网智能电网研究院 , 国家电网公司
- 申请人地址: 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)
- 专利权人: 国网智能电网研究院,国家电网公司
- 当前专利权人: 国网智能电网研究院,国家电网公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)
- 代理机构: 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理商 徐国文
- 主分类号: B82B1/00
- IPC分类号: B82B1/00 ; B82B3/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明提供了一种纳米电极阵列,该纳米电极阵列包括其上均匀垂直设置等高硅尖阵列2的硅片衬底1,设置硅尖阵列2一侧的硅片衬底1的表面和硅尖阵列2表面包覆金属薄膜层3,位于硅尖阵列2峰顶的金属薄膜层3设有纳米颗粒4。该本发明中的纳米电极阵列,体积小、密度大、尖端曲率半径小,可用于电离型气体传感器低成本、大批量制备。
公开/授权文献
- CN106865491A 一种纳米电极阵列及其制备方法 公开/授权日:2017-06-20