- 专利标题： 一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法
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申请号： CN201710153507.4申请日： 2017-03-15
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公开(公告)号： CN106868469B公开(公告)日： 2019-02-26
- 发明人: 张琳 , 慈立杰 , 王旭天
- 申请人： 山东大学
- 申请人地址： 山东省济南市经十路17923号
- 专利权人： 山东大学
- 当前专利权人： 山东大学
- 当前专利权人地址： 山东省济南市经十路17923号
- 代理机构： 济南圣达知识产权代理有限公司
- 代理商 王志坤
- 主分类号： C23C16/02
- IPC分类号： C23C16/02 ; C23C16/26 ; C23C14/35 ; C23C14/06
摘要：
本发明公开了一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法。本发明采用本发明采用射频磁控溅射技术和化学气相沉积的方法，用六方氮化硼靶作为磁控溅射靶材，用有300nm二氧化硅的 晶向的硅基作为溅射衬底，通过在硅基上直接沉积硼氮薄膜作为催化剂，其上生长石墨烯，省去了溅射沉积金属催化剂的步骤，从而达到优化工艺，节约资源，降低成本的效果。同时通过控制化学气相沉积过程中的参数，使得制备得到的石墨烯一致性良好，具有较好的热和化学稳定性。
公开/授权文献
- CN106868469A 一种在硅基上无金属催化剂制备石墨烯的方法 公开/授权日：2017-06-20
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