发明公开
- 专利标题: 一种污秽绝缘子局部表面电阻的测量方法
- 专利标题(英): Measurement method for local surface resistance of contaminated insulator
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申请号: CN201710188404.1申请日: 2017-03-27
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公开(公告)号: CN106918744A公开(公告)日: 2017-07-04
- 发明人: 王建辉 , 赵悦菊 , 耿刚强 , 王国刚 , 滕济林 , 张亚明 , 张培林 , 苗文华 , 穆静静 , 刘金龙 , 吴刘锁 , 郑永立 , 卢明 , 刘泽辉
- 申请人: 北京国电富通科技发展有限责任公司
- 申请人地址: 北京市丰台区南四环西路188号总部基地六区14号楼
- 专利权人: 北京国电富通科技发展有限责任公司
- 当前专利权人: 北京国电富通科技发展有限责任公司
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区南四环西路188号总部基地六区14号楼
- 代理机构: 北京恩赫律师事务所
- 代理商 刘守宪; 赵文成
- 主分类号: G01R27/08
- IPC分类号: G01R27/08
摘要:
本发明公开了一种污秽绝缘子局部表面电阻的测量方法,属于绝缘子污秽检测技术领域。该测量方法包括:步骤1:将被测污秽绝缘子固定于样品架上,并采用多个相同大小的铝箔胶带对被测污秽绝缘子进行局部分割;步骤2:采用铜导线将所有的铝箔胶带分别与电阻测量仪进行连接,之后对被测污秽绝缘子整体施加电压,并采用所述电阻测量仪测量得到不同导线之间的电阻值;步骤3:采用区域电阻值叠加法计算得到被测污秽绝缘子相应区域的表面电阻。本发明能够更可靠的反映绝缘子表面的真实污染状况,并且操作简单。
公开/授权文献
- CN106918744B 一种污秽绝缘子局部表面电阻的测量方法 公开/授权日:2019-10-11