光电转换器件、阵列基板、彩膜基板和显示装置
摘要:
本发明提供了光电转换器件、阵列基板、彩膜基板和显示装置。该光电转换器件包括:压电材料层、第一逆压电材料层、第二逆压电材料层、第一电极、第二电极、第一吸光材料层和第二吸光材料层,其中,第一逆压电材料层和第二逆压电材料层分别设置于压电材料层的两端且与压电材料层相连,第一电极和第二电极设置在压电材料层的同侧,沿第一逆压电材料层和第二逆压电材料层的分布方向间隔设置,且与压电材料层电连接,第一吸光材料层和第二吸光材料层分别与第一逆压电材料层和第二逆压电材料层电连接。本发明的光电转换器件在有光的情况下,将光转换为电能,用于驱动薄膜晶体管,将光电转换结构集成在显示面板制造工艺中,可降低成本。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备;其零部件(H01L51/42优先;由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件,而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00)
H01L31/04 .用作光伏〔PV〕转换器件(制造中其测试入H01L21/66;制造之后其测试入H02S50/10)
H01L31/053 ..与光伏电池直接联合或结合的能量存储装置,例如,与光伏电池结合的电容(与光伏模块联合的能量存储装置入H02S 40/38)
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