Invention Grant
- Patent Title: 一种LBO晶体的刻蚀清洗方法
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Application No.: CN201710070815.0Application Date: 2017-02-09
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Publication No.: CN106925565BPublication Date: 2018-08-24
- Inventor: 王占山 , 马彬 , 王可 , 张莉 , 程鑫彬 , 江浩 , 苏静 , 崔勇
- Applicant: 同济大学 , 上海天粹自动化设备有限公司
- Applicant Address: 上海市杨浦区四平路1239号
- Assignee: 同济大学,上海天粹自动化设备有限公司
- Current Assignee: 同济大学,上海天粹自动化设备有限公司
- Current Assignee Address: 上海市杨浦区四平路1239号
- Agency: 上海科盛知识产权代理有限公司
- Agent 翁惠瑜
- Main IPC: B08B3/12
- IPC: B08B3/12 ; B08B3/08 ; B24B29/02 ; C30B33/12
Abstract:
本发明涉及一种LBO晶体的刻蚀清洗方法,属于激光技术领域,该方法包括抛光、化学刻蚀、清洗干燥、离子束刻蚀、二次抛光和二次化学刻蚀的多次迭代方法。本发明针对LBO晶体的各向异性和材料表面微潮解特性,采用特定的抛光、刻蚀和后处理工艺,并通过不同步骤间的迭代技术有效去除了上一工序引入的新缺陷和工序残留物,最终获得低亚表面损伤层、低表面粗糙度的高质量LBO晶体表面。与现有技术相比,该方法具有工艺针对性强、效果明显等优点,适用于低潮解晶体材料的抗激光损伤性能提升。
Public/Granted literature
- CN106925565A 一种LBO晶体的刻蚀清洗方法 Public/Granted day:2017-07-07
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