发明授权
- 专利标题: 晶片顶升装置及其顶升方法
-
申请号: CN201511003533.6申请日: 2015-12-29
-
公开(公告)号: CN106935540B公开(公告)日: 2019-08-06
- 发明人: 龚岳俊 , 黄允文
- 申请人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
- 代理机构: 上海信好专利代理事务所
- 代理商 朱成之
- 主分类号: H01L21/683
- IPC分类号: H01L21/683
摘要:
一种晶片顶升装置及其顶升方法,利用第一顶升组件完成第一顶升阶段,微型气缸驱动顶杆组件上升顶起晶片,使晶片与静电吸盘分离,利用第二顶升组件完成第二顶升阶段,气缸进一步驱动微型气缸和顶杆组件将晶片顶升至设定距离。本发明采用微型气缸来实现第一阶段顶升过程,利用微型气缸来调节顶杆的顶升高度和顶升速度,获得相同的顶升时间和顶升力,微型气缸的行程短,合理控制微型气缸的进气量可以实现轻柔稳定的顶升过程,防止晶片受损,微型气缸的体积小,节省了空间,采用多个微型气缸实现第一阶段顶升,而利用一个气缸实现第二阶段顶升,更加灵活,且降低了成本,不需要采用氦气,避免了晶片被污染的风险。
公开/授权文献
- CN106935540A 晶片顶升装置及其顶升方法 公开/授权日:2017-07-07
IPC分类: