基材上生长AlMgB14膜层的方法及采用该方法制得的制品
摘要:
本发明针对现有技术在基材表面生成保护膜时膜层均匀性差、随形性低的不足及现有技术制品摩擦系数高、耐磨性差、硬度低的不足,提供一种基材上生长AlMgB14膜层的方法及采用该方法制得的制品,一种基材上生长AlMgB14膜层的方法,采用原子层沉积的方法在制品的所需表面生长AlMgB14膜层,采用Al的前驱体、Mg的前驱体、B的前驱体三种前驱体交替反应,每种前驱体反应完成后通入H的等离子体进行还原反应,得到含有纯的Al层、Mg层和B层的AlMgB14膜层,采用本发明的方法制得的制品,膜层的随形性能好、厚度均匀,具有高的硬度、低的摩擦系数,可增强产品的耐磨性,延长制品或产品的使用寿命。
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