发明授权
- 专利标题: 基于半导体致冷技术的静电收集法测氡装置
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申请号: CN201611223877.2申请日: 2016-12-27
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公开(公告)号: CN106950591B公开(公告)日: 2019-08-09
- 发明人: 冯威锋 , 王腾飞 , 关键 , 曹放 , 丁海云 , 侯江 , 柳杰
- 申请人: 核工业北京化工冶金研究院 , 中核华创稀有材料有限公司
- 申请人地址: 北京市通州区九棵树145号
- 专利权人: 核工业北京化工冶金研究院,中核华创稀有材料有限公司
- 当前专利权人: 中核华创稀有材料有限公司,核工业北京化工冶金研究院
- 当前专利权人地址: 北京市通州区九棵树145号
- 代理机构: 核工业专利中心
- 代理商 张雅丁
- 主分类号: G01T1/36
- IPC分类号: G01T1/36
摘要:
本发明属于测氡仪技术领域,具体涉及一种基于半导体致冷技术的静电收集法测氡装置。包括滤膜、采样泵、半导体致冷片的热面、半导体制冷片的冷面、收集腔、半导体探测器、放大电路、隔热层和能谱分析系统;样品气体通过滤膜和采样泵进入收集腔,收集腔贴装在半导体制冷片的冷面,半导体探测器位于收集腔内部,放大电路位于收集腔外,半导体致冷片的冷面、收集腔和放大电路被隔热层包裹,半导体致冷片的热面贴装有散热器,能谱分析系统与放大电路连接。本发明能够解决样品气体温湿度对静电收集法测氡仪的影响问题;同时解决半导体探测器和放大电路的温漂问题,降低对半导体探测器和放大电路的性能要求,大幅降低仪器成本。
公开/授权文献
- CN106950591A 基于半导体致冷技术的静电收集法测氡装置 公开/授权日:2017-07-14