薄膜晶体管和阵列基板

发明公开

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专利标题： 薄膜晶体管和阵列基板
专利标题（英）： Thin film transistor and array substrate
申请号： CN201710161372.6

申请日： 2017-03-17
公开(公告)号： CN106952962A

公开(公告)日： 2017-07-14
发明人: 孟虎 , 梁学磊 , 夏继业 , 黄奇
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,北京大学
当前专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,北京大学
当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
代理机构： 北京律智知识产权代理有限公司
代理商 袁礼君; 姜怡
主分类号： H01L29/786
IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/06 ; H01L21/336

摘要：

本公开提供一种薄膜晶体管和阵列基板。该薄膜晶体管包括源极、漏极以及有源层，该薄膜晶体管还包括：位于所述有源层与所述源极和/或所述漏极之间的阻挡层。本公开可以降低薄膜晶体管的关态电流并抑制双极性效应。

摘要（英）：

The invention provides a thin film transistor and an array substrate. The thin film transistor comprises a source electrode, a drain electrode and an active layer; and the thin film transistor further comprises a barrier layer located between the active layer and the source electrode and/or the drain electrode. The thin film transistor and the array substrate provided by the invention can reduce the off state current of the thin film transistor and suppress the bipolar effect.

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786	......薄膜晶体管