Invention Grant
CN106977753B 一种高强度固体电解质仿生超薄膜及其制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种高强度固体电解质仿生超薄膜及其制备方法
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Application No.: CN201710190973.XApplication Date: 2017-03-28
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Publication No.: CN106977753BPublication Date: 2019-08-06
- Inventor: 姜忠义 , 徐明钊 , 何光伟 , 赵静 , 何雪溢
- Applicant: 天津大学
- Applicant Address: 天津市南开区卫津路92号
- Assignee: 天津大学
- Current Assignee: 天津大学
- Current Assignee Address: 天津市南开区卫津路92号
- Agency: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- Agent 李丽萍
- Main IPC: C08J5/22
- IPC: C08J5/22 ; C08L29/04 ; C08K9/02 ; C08K3/04 ; C08K3/34 ; C08K5/07 ; C08F16/06 ; C08F8/36 ; H01M8/1069 ; H01M8/1046 ; H01M8/1067
Abstract:
本发明公开了一种高强度固体电解质仿生超薄膜的制备,包括(1)用Hummers法制备氧化石墨;(2)磺化聚乙烯醇的制备;(3)复合膜的制备:该复合膜包括无机材料和有机材料,所述无机材料为氧化石墨和蒙脱土的混合物,有机材料为磺化聚乙烯醇,无机材料占总质量的40‑70%,有机材料占总质量的30‑60%;即得到具有二维快速质子传递通道的高强度固体电解质仿生超薄膜,其内部结构均一无缺陷,膜内离子交换容量为1.12mmol.g‑1,室温下离子传导率为0.0921~0.222S cm‑1,吸水率为18.7~38.6%,机械强度为180.7~287.7MPa,杨氏模量为10.72~13.74Gpa。
Public/Granted literature
- CN106977753A 一种高强度固体电解质仿生超薄膜及其制备方法 Public/Granted day:2017-07-25
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