Invention Grant
- Patent Title: 一种在常温下调控氧化物材料缺陷浓度的方法
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Application No.: CN201710255849.7Application Date: 2017-04-17
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Publication No.: CN107010604BPublication Date: 2019-05-31
- Inventor: 李亚栋 , 伍晖 , 欧刚
- Applicant: 清华大学
- Applicant Address: 北京市海淀区清华园
- Assignee: 清华大学
- Current Assignee: 清华大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华园
- Agency: 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- Agent 张文宝
- Main IPC: C01B13/14
- IPC: C01B13/14 ; C01F17/00 ; C01G9/02 ; C01G19/02 ; C01G23/08 ; B82Y30/00
Abstract:
本发明涉及一种在常温下调控氧化物材料缺陷浓度的方法,该方法在选定的氧化物材料中加入适量的高反应活性的金属粉体和分散介质,研磨均匀使其充分反应,离心干燥后即可得到具有一定缺陷浓度的氧化物材料,通过调节金属锂粉的加入量即可调控氧化物材料中缺陷的含量。本发明的方法在研磨过程中夺取部分氧化物材料晶格中的氧,利用缺陷的引入对氧化物材料的表面结构以及光学、电学和催化等性能进行调控,常温下即可在氧化物材料中引入缺陷,同时具有快速、节能、环保和适用范围广等优点,尤其对于材料缺陷比较敏感和材料缺陷调控相对困难的体系有更加显著的优势。
Public/Granted literature
- CN107010604A 一种在常温下调控氧化物材料缺陷浓度的方法 Public/Granted day:2017-08-04
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