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集成芯片系统及其形成方法
Abstract:
用于形成半导体封装件的方法的实施例包括:附接第一管芯至第一载体;在第一管芯周围沉积第一隔离材料;以及在沉积第一隔离材料后,接合第二管芯至第一管芯。接合第二管芯至第一管芯包括形成介电质‑介电质的接合。该方法还包括去除第一载体并且在第一管芯的与第二管芯相对的一侧上形成扇出式再分布层(RDL)。扇出式RDL电连接至第一管芯和第二管芯。本发明的实施例还提供了半导体封装件。
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