发明授权
- 专利标题: 一种直接生长超薄多孔石墨烯分离膜的方法
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申请号: CN201710404233.1申请日: 2017-06-02
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公开(公告)号: CN107051228B公开(公告)日: 2020-04-07
- 发明人: 全燮 , 魏高亮 , 陈硕 , 于洪涛
- 申请人: 大连理工大学
- 申请人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- 代理机构: 大连理工大学专利中心
- 代理商 温福雪; 侯明远
- 主分类号: B01D71/02
- IPC分类号: B01D71/02 ; B01D67/00 ; C01B32/184
摘要:
本发明提供了一种直接生长超薄多孔石墨烯分离膜的方法,属于膜技术领域。把刻蚀剂、有机溶剂和高分子聚合物涂覆在金属箔上,在无氧条件下高温煅烧;去掉金属基底和反应产物,即可得到单层或多层的多孔石墨烯分离膜。或将刻蚀剂的溶液或分散液涂覆在金属箔上,再覆盖一层有机高分子聚合物薄膜,在无氧条件下高温煅烧,去掉金属基底和反应产物,即可得到单层或多层的多孔石墨烯分离膜。本发明公开的方法简单,无需昂贵的设备和药品,成本低;可以直接生长出多孔石墨烯分离膜,不需要事先制备石墨烯原材料;制备出的石墨烯膜孔径可调,具有超高的水通量和和抗不可逆污染的能力。
公开/授权文献
- CN107051228A 一种直接生长超薄多孔石墨烯分离膜的方法 公开/授权日:2017-08-18