Invention Grant
- Patent Title: 一种碳化硅涂层及其制备方法
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Application No.: CN201710312326.1Application Date: 2017-05-05
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Publication No.: CN107082651BPublication Date: 2019-10-22
- Inventor: 李同起 , 焦星剑 , 李钰梅 , 张大海
- Applicant: 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
- Applicant Address: 北京市丰台区南大红门路1号
- Assignee: 航天材料及工艺研究所,中国运载火箭技术研究院
- Current Assignee: 航天材料及工艺研究所,中国运载火箭技术研究院
- Current Assignee Address: 北京市丰台区南大红门路1号
- Agency: 中国航天科技专利中心
- Agent 范晓毅
- Main IPC: C04B41/87
- IPC: C04B41/87 ; C04B41/89
Abstract:
本发明涉及一种碳化硅涂层及其制备方法,属无机功能涂层材料领域。碳化硅的制备方法包括:分别配制第一涂层浆料和第二涂层浆料,其中所述第一涂层浆料原料包括重量比为3:(3~5):(0.5~1.5)的酚醛树脂、Si粉和SiC粉,所述第二涂层浆料为硅化浆料;将制备的第一涂层浆料涂覆到含碳材料表面,固化得到内覆层,然后将制备得到的硅化浆料涂层到内覆层表面,固化得到外覆层;将形成了外覆层的含碳材料进行高温真空烧结,得到碳化硅涂层。本发明实施例提供的碳化硅涂层的内覆层和外覆层可以通过一次高温烧结而成,实现了高质量碳化硅涂层的快速成型,制备过程大幅简化,制备周期降低50%以上;适应不同结构、不同尺寸及异型含碳材料及其构件涂层的快速制备。
Public/Granted literature
- CN107082651A 一种碳化硅涂层及其制备方法 Public/Granted day:2017-08-22
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