发明授权
- 专利标题: 一种碳化硅场效应管的驱动模块
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申请号: CN201710428946.1申请日: 2017-06-08
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公开(公告)号: CN107094009B公开(公告)日: 2023-03-21
- 发明人: 王建 , 徐鲲鹏 , 李涛 , 刘瑞 , 黄亮 , 吉栋 , 姚国旺 , 吴有超
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园C区2号楼305室; ;
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国家电网公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国家电网公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园C区2号楼305室; ;
- 代理机构: 北京兴智翔达知识产权代理有限公司
- 代理商 张玉梅
- 主分类号: H03K17/26
- IPC分类号: H03K17/26 ; H03K17/687
摘要:
本发明公开一种碳化硅场效应管的驱动模块,包括:第一驱动电路、第一负压驱动电路以及第二负压驱动电路;第一驱动电路的输入端用于接收方波输入信号,当方波输入信号为高电平时,第一驱动电路的输出端输出高电平驱动电压;当方波输入信号为低电平时,第一负压驱动电路的输出端输出负电压信号;第二负压驱动电路的输入端与第一负压驱动电路的输出端相连接,第二负压驱动电路的输入端用于接收负电压信号,第二负压驱动电路的输出端与第一驱动电路的输出端相连接,在负电压信号的驱动下,第二负压驱动电路的输出端输出负压关断电压。本发明提供的碳化硅场效应管的驱动模块实现了负压驱动,保证了SiC MOSFET的关断效果。
公开/授权文献
- CN107094009A 一种碳化硅场效应管的驱动模块 公开/授权日:2017-08-25