发明公开
- 专利标题: 一种快速测量超导薄膜平均临界电流的方法
- 专利标题(英): Method for quickly measuring average critical current of superconducting film
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申请号: CN201710325985.9申请日: 2017-05-10
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公开(公告)号: CN107144802A公开(公告)日: 2017-09-08
- 发明人: 冯峰 , 母辉 , 瞿体明 , 顾晨 , 符其树
- 申请人: 清华大学深圳研究生院
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区西丽大学城清华校区
- 专利权人: 清华大学深圳研究生院
- 当前专利权人: 清华大学深圳研究生院
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区西丽大学城清华校区
- 代理机构: 深圳新创友知识产权代理有限公司
- 代理商 徐罗艳
- 主分类号: G01R33/12
- IPC分类号: G01R33/12
摘要:
快速测量超导薄膜平均临界电流的方法:测量待测超导薄膜样品的几何尺寸;将待测样品冷却至超导态并进行励磁;采用磁场测量装置扫描测量待测样品几何中心区域磁感应强度B;根据B的最大值确定待测样品的几何中心点坐标;将磁场测量装置固定于几何中心点的正上方或正下方一高度h处以测量待测样品在磁场测量装置固定处产生的磁感应强度Bc;对一平均临界电流Ic已知的超导薄膜对照样品执行前述的全部步骤得到该对照样品的Bc值;根据超导薄膜的Bc与h、Ic和几何尺寸之间的关系式,基于测量得到的对照样品的所述几何尺寸、Bc值和已知的Ic值,得到h的值,再将h的值及测量得到的待测样品的几何尺寸和Bc值代入关系式,得到待测样品的Ic值。
公开/授权文献
- CN107144802B 一种快速测量超导薄膜平均临界电流的方法 公开/授权日:2019-04-16