发明公开
- 专利标题: 一种声表面波传感器芯片结构及传感器
- 专利标题(英): Chip structure of surface acoustic wave sensor and sensor
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申请号: CN201710198913.2申请日: 2017-03-29
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公开(公告)号: CN107145931A公开(公告)日: 2017-09-08
- 发明人: 李红浪 , 蔡飞达 , 李鹏旭 , 柯亚兵 , 田亚会 , 程利娜
- 申请人: 中国科学院声学研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区北四环西路21号
- 专利权人: 中国科学院声学研究所
- 当前专利权人: 中国科学院声学研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区北四环西路21号
- 代理机构: 北京亿腾知识产权代理事务所
- 代理商 陈霁
- 主分类号: G06K19/07
- IPC分类号: G06K19/07 ; G01D5/48 ; H02N2/18
摘要:
本发明公开了一种声表面波传感器芯片结构,该结构包括,压电基片(21)和叉指换能器(20);其中,叉指换能器(20)包括汇流条(22)和电极部分(23),电极部分(23)设置为尖角结构;压电基片(21)用于积聚电能;叉指换能器(20)用于将电能转化为机械能,在传播路径上调制声波信号,通过逆压电效应,将机械能转化为电能,为声表面波传感器提供能量。本发明能够使SAW传感器的读写范围大大提升,实现更远距离的接收,满足传感器市场对于读写范围的需求。
公开/授权文献
- CN107145931B 一种声表面波传感器芯片结构及传感器 公开/授权日:2019-08-13