本发明提供了一种离子注入角度的监控方法。所述离子注入角度的监控方法，包括：在硅衬底形成氧化层；在所述氧化层表面形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行图案化处理以形成多个相互间隔的多晶硅区域；在所述多晶硅层表面形成多个绝缘阻挡块，所述多个绝缘阻挡块相互间隔并形成相应的开口来将所述多晶硅区域裸露出来；通过所述开口并采用一定的角度对各个多晶硅区域进行离子注入处理；对所述多晶硅区域进行电阻测试，来检测在所述离子注入过程中的离子注入角度是否出现偏差。本发明提供的方法可以实现简单方便高效地监控离子注入角度。